SÁCH DO TÔI VIẾT

HỖ TRỢ TÌM KIẾM

Google

TÀI NGUYÊN BLOG


ĐANG ONLINE

4 khách và 0 thành viên

Trò chuyện cùng tôi

  • (Quản Trị BLOG)

Thống kê

  • truy cập   (chi tiết)
    trong hôm nay
  • lượt xem
    trong hôm nay
  • thành viên
  • Sắp xếp dữ liệu

    Biểu cảm

    Hoan hô Hi hi hi Buồn quá Buồn ngủ rồi Ha ha ha Hô hô hô Cười nhăn răng

    Đang đợi đấy Nhất trí cao Gọi điện nhé Suỵt … Hết cách rồi

    Sợ quá Suy nghĩ Tại sao Tạm biệt Trời ơi! Tức giận

    Hu hu hu Không thèm nói Xấu hổ Ồ !!! Nhanh lên nào Yeah!

    Trở về đầu

    phím tắt CTRL + HOME

    Chào mừng quý vị đến với BLOG HÓA HỌC - Chia sẻ tài liệu.

    Quý vị chưa đăng nhập hoặc chưa đăng ký làm thành viên, vì vậy chưa thể tải được các tư liệu của Thư viện về máy tính của mình.
    Nếu đã đăng ký rồi, quý vị có thể đăng nhập ở ngay ô bên phải.

    Chất bán dẫn

    Nhấn vào đây để tải về
    Hiển thị toàn màn hình
    Báo tài liệu có sai sót
    Nhắn tin cho tác giả
    Nguồn: st
    Người gửi: Nguyễn Đình Hành (trang riêng)
    Ngày gửi: 11h:38' 17-05-2011
    Dung lượng: 179.6 KB
    Số lượt tải: 108
    Số lượt thích: 0 người
    Chất bán dẫn .      
    Nội dung: Giới thiệu về chất bán dẫn, Chất bán dẫn loại N, Chất bán dẫn loại P.

    Chất bán dẫn.

    Chất bán dẫn là nguyên liệu để sản xuất ra các loại linh kiện bán dẫn như Diode, Transistor, IC mà ta đã thấy trong các thiết bị điện tử ngày nay.
    Chất bán dẫn là những chất có đặc điểm trung gian giữa chất dẫn điện và chất cách điện, về phương diện hoá học thì bán dẫn là những chất có 4 điện tử ở lớp ngoài cùng của nguyên tử. đó là các chất Germanium ( Ge) và Silicium (Si)
    Từ các chất bán dẫn ban đầu ( tinh khiết) người ta phải tạo ra hai loại bán dẫn là bán dẫn loại N và bán dẫn loại P, sau đó ghép các miếng bán dẫn loại N và P lại ta thu được Diode hay Transistor.
    Si và Ge đều có hoá trị 4, tức là lớp ngoài cùng có 4 điện tử, ở thể tinh khiết các nguyên tử Si (Ge) liên kết với nhau theo liên kết cộng hoá trị  như hình dưới.
    
    Chất bán dẫn tinh khiết .
      2.ChấtbándẫnloạiN    * Khi ta pha một lượng nhỏ chất có hoá trị 5 như Phospho (P) vào chất bán dẫn Si thì một nguyên tử P liên kết với 4 nguyên tử Si theo liên kết cộng hoá trị, nguyên tử Phospho chỉ có 4 điện tử tham gia liên kết và còn dư một điện tử và trở thành điện tử tự do => Chất bán dẫn lúc này trở thành thừa điện tử ( mang điện âm) và được gọi là bán dẫn N ( Negative : âm ).
                
    Chất bán dẫn N
     3.ChấtbándẫnloạiP Ngược lại khi ta pha thêm một lượng nhỏ chất có hoá trị 3 như Indium (In) vào chất bán dẫn Si  thì 1  nguyên tử Indium sẽ liên kết với 4 nguyên tử Si theo liên kết cộng hoá trị và liên kết bị thiếu một điện tử  => trở thành lỗ trống ( mang điện dương)  và được gọi là chất bán dẫn P.

               
    Chất bán dẫn P

    Diode bán dẫn.       Nội dung : Cấu tạo của Diode bán dẫn, Phân cực thuận và phân cực ngược cho Diode bán dẫn, Phương pháp đo kiểm tra Diode, Ứng dụng của Diode.

    1.TiếpgiápP-NvàCấutạocủaDiodebándẫn.  Khi đã có được hai chất bán dẫn là P và N , nếu ghép hai chất bán dẫn theo một tiếp giáp P - N ta được một Diode, tiếp giáp P -N  có đặc điểm : Tại bề mặt tiếp xúc, các điện tử dư thừa trong bán dẫn N khuyếch tán sang vùng bán dẫn P để lấp vào các lỗ trống => tạo thành một lớp Ion trung hoà về điện =>  lớp Ion này tạo thành miền cách điện giữa hai chất bán dẫn.
    
    Mối tiếp xúc P - N  => Cấu tạo của Diode .
         * Ở hình trên là mối tiếp xúc P - N và cũng chính là cấu tạo của Diode bán dẫn.
    
    
    Ký hiệu và hình dáng của Diode bán dẫn.
     2.PhâncựcthuậnchoDiode. Khi ta cấp điện áp dương (+) vào Anôt ( vùng bán dẫn P ) và điện áp âm (-) vào Katôt ( vùng bán dẫn N ) , khi đó dưới tác dụng tương tác của điện áp, miền cách điện thu hẹp lại, khi điện áp chênh lệch giữ hai cực đạt 0,6V ( với Diode loại Si ) hoặc 0,2V ( với Diode loại Ge ) thì diện tích miền cách điện giảm bằng không => Diode bắt đầu dẫn điện. Nếu tiếp tục tăng điện áp nguồn thì dòng qua Diode tăng nhanh nhưng chênh lệch điện áp giữa hai cực của Diode không tăng (vẫn giữ ở mức 0,6V )
    
    Diode (Si)  phân cực thuận - Khi Dode dẫn điện áp thuận đựơc gim ở mức 0,6V
    
    Đường đặc tuyến của điện áp thuận qua Diode
       * Kết luận : Khi Diode (loại Si) được phân cực thuận, nếu điện áp phân cực thuận < 0,6V thì chưa có dòng đi qua Diode, Nếu áp phân cực thuận đạt = 0,6V thì có dòng đi qua Diode sau đó dòng điện qua Diode tăng nhanh nhưng sụt áp thuận vẫn giữ ở giá trị 0,6V .
     3.Phân cực ngược cho Diode.
    Khi phân cực ngược cho Diode tức là cấp nguồn (+)  vào Katôt (bán dẫn N), nguồn (-) vào Anôt (bán dẫn P), dưới sự tương tác của điện áp ngược,  miền cách điện càng rộng ra và ngăn cản dòng điện đi qua mối tiếp giáp,  Diode có thể chiu được điện áp ngược rất lớn khoảng 1000V thì diode mới bị đánh thủng.
    
    Diode chỉ bị cháy khi áp phân cực ngựơc tăng > = 1000V
      4. Phương pháp đo kiểm tra Diode
    
    Đo kiểm tra Diode
    Đặt đồng hồ ở thang x 1Ω , đặt hai que đo vào hai đầu Diode,
     
    Gửi ý kiến

    ↓ CHÚ Ý: Bài giảng này được nén lại dưới dạng RAR và có thể chứa nhiều file. Hệ thống chỉ hiển thị 1 file trong số đó, đề nghị các thầy cô KIỂM TRA KỸ TRƯỚC KHI NHẬN XÉT  ↓


    Trở về đầu

    phím tắt CTRL + HOME